Powstawanie ?ogonów” rozkładu implantowanych jonów jest związane ze strukturą krystaliczną domieszkowanych próbek. Wytworzenie na powierzchni monokryształu warstwy amorficznej i implantacja domieszek do tej warstwy umożliwia uzyskanie rozkładów domieszek pozbawionych ..ogonów” rozkładu. Dodatkowym czynnikiem przemawiającym za wytwarzaniem takiej warstwy przed implantacją właściwej domieszki jest niska temperatura odbudowy struktury krystalicznej warstwy amorficznej z wbudowywaniem atomów implantowanej domieszki w położenie węzłowe sieci. Zapewnia to uzyskanie już po takim wygrzaniu pełnej aktywności elektrycznej implantowanej domieszki. Przeciwko wytwarzaniu warstw amorficznych, w procesie produkcji przyrządów półprzewodnikowych, przemawiają: trudności z usunięciem defektów radiacyjnych na granicy warstwy amorficznej i podłoża, trudności z maskowaniem przy implantacji dużej dawki jonów, wytwarzających warstwę amorficzną, i trudności związane z usunięciem tych jonów z próbki oraz wprowadzenie do procesu technologicznego dodatkowej operacji amorfizacji. Warstwy amorficzne na powierzchni krzemu można wytwarzać np. na drodze implantacji jonów gazów szlachetnych czy krzemu. W przypadku krzemu należy dysponować implantatorem o dużej zdolności rozdzielczej dla uniknięcia równoległej z krzemem implantacji jonów azotu cząsteczkowego. W temperaturze pokojowej do wytworzenia warstwy amorficznej jest wymagane zaimplantowanie pewnej krytycznej dawki domieszki.
Przeczytaj także: Procesy technologiczne
W typowych procesach technologicznych, aluminium jest naparowywane na podłoża niegrzane lub na płytki krzemowe grzane do temperatury w zakresie 150 … 350°C. Podwyższoną temperaturę podłoży stosuje się w celu uzyskania poprawy adhezji do podłoża osadzanej próżniowo warstwy, dzięki odgazowaniu i odwilgoceniu powierzchni czynnych kontaktów Si oraz pozostałych powierzchni SiO2 i szkliw krzemowych. Stosowanie w czasie naparowywania Al znacznie wyższej temperatury podłoży powoduje wzrost dyfuzji powierzchniowej atomów aluminium osadzonego na płytkach krzemowych, co w efekcie poprawia jakość pokrycia przez metalizację schodków tlenkowych w otworach kontaktowych i pozostałych nierówności powierzchni podłoży krzemowych. Decydując się na odpowiednio wysoką temperaturę podłoży w czasie osadzania próżniowego Al, należy pamiętać, że uzyskanie wyższej temperatury jest zwykle równoznaczne z wydłużeniem czasu grzania przed naparowaniem, co w rezultacie, ze względu na zwiększenie intensywności reakcji wtórnych w próżni, powoduje wzrost ładunku ruchomego w SiO2. Efekt ten jest szczególnie niekorzystny w technologii metalizacji układów scalonych MOS z bramką aluminiową. W celu uzyskania dobrej jakości pokrycia schodków w warstwie tlenków, np. w otworach kontaktowych, niezależnie od grzania podłoży należy stosować w komorach roboczych napylarek próżniowych tzw. planetarne uchwyty płytek krzemowych typu Knudse- na. Tego typu uchwyty płytek krzemowych zapewniają również uzyskiwanie w procesach osadzania próżniowego warstw o dużej jednorodności grubości z tolerancją nie przekraczającą ? 5%.
